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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 1.09W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2308BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2308BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 1.09W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2308BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2308BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2308BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5802TRPBF
  仓库库存编号：IRF5802TRPBFCT-ND
  别名：IRF5802TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP88H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP88H6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.5A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6445-TL-W
  仓库库存编号：CPH6445-TL-WOSCT-ND
  别名：CPH6445-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2303ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2303ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2303ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R900P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R900P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499716
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R900P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R900P7SAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  PMT280ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 770mW（Ta） SC-73
  
  型号：PMT280ENEAX
  仓库库存编号：1727-2724-1-ND
  别名：1727-2724-1
  568-13288-1
  568-13288-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 6.5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R900P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R900P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R900P7SATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86113LZ
  仓库库存编号：FDT86113LZCT-ND
  别名：FDT86113LZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3453DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3453DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B05NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B05NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5802TR
  仓库库存编号：IRF5802TRCT-ND
  别名：*IRF5802TR
  IRF5802CT
  IRF5802CT-ND
  IRF5802TRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88E6327
  仓库库存编号：BSP88INCT-ND
  别名：BSP88INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP88L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP88L6327
  BSP88L6327INCT
  BSP88L6327INCT-ND
  BSP88XTINCT
  BSP88XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V,
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