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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 43.3A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R080CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R080CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000875806
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 159A（Tc） 83W（Tc） DirectFET? 等容 MF
  
  型号：IRF40DM229
  仓库库存编号：IRF40DM229CT-ND
  别名：IRF40DM229CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8405
  仓库库存编号：AUIRFS8405-ND
  别名：IRAUIRFS8405
  IRAUIRFS8405-ND
  SP001522864
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4630DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4630DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4630DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4630DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4630DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4630DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4632DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4632DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4632DY-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4632DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4632DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 200V 108A
  详细描述：N 沟道 200V 108A（Tc） 405W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC80NA20
  仓库库存编号：VS-FC80NA20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8405TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFS8405TRL-ND
  别名：IFAUIRFS8405TRL
  SP001517524
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRFSL8405
  仓库库存编号：IRAUIRFSL8405-ND
  别名：IRAUIRFSL8405
  SP001522846
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB8405
  仓库库存编号：IRAUIRFB8405-ND
  别名：IRAUIRFB8405
  SP001516720
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 161nC @ 10V,
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