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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC084P03NS3 G
仓库库存编号:
BSC084P03NS3 GCT-ND
别名:BSC084P03NS3 GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14.9A(Ta),78.6A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC084P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
别名:BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名:SP001065242
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