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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),104A(Tc) 3.4W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH7932TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7932TRPBFCT-ND
别名:IRFH7932TRPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R3-80PS,127
仓库库存编号:
1727-6501-ND
别名:1727-6501
568-8597-5
568-8597-5-ND
934066132127
PSMN3R380PS127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R3-40YS,115
仓库库存编号:
1727-4633-1-ND
别名:1727-4633-1
568-5590-1
568-5590-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 114W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R4-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7115-1-ND
别名:1727-7115-1
568-9485-1
568-9485-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号:
1727-6502-ND
别名:1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3330L,115
仓库库存编号:
PH3330L,115-ND
别名:934058817115
PH3330L T/R
PH3330L T/R-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R7-30C,127
仓库库存编号:
568-7494-5-ND
别名:568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R3-30C,127
仓库库存编号:
BUK653R3-30C,127-ND
别名:934065858127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6607
仓库库存编号:
IRF6607CT-ND
别名:*IRF6607
IRF6607CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.3 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
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