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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R380P6ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380P6XKSA1-ND
  别名：SP001017072
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R380P6XKSA1-ND
  别名：SP001017058
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380C6
  仓库库存编号：IPA60R380C6-ND
  别名：IPA60R380C6XKSA1
  SP000660632
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R380E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R380E6
  IPP60R380E6-ND
  SP000795310
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380C6
  仓库库存编号：IPP60R380C6-ND
  别名：IPP60R380C6XKSA1
  SP000645062
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R380E6
  IPA60R380E6-ND
  SP000795300
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R380C6
  仓库库存编号：IPB60R380C6CT-ND
  别名：IPB60R380C6CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380C6ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R380CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R380CEXKSA1-ND
  别名：SP001391616
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R380C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R380C6
  IPI60R380C6-ND
  SP000660630
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6
  仓库库存编号：IPD60R380C6INCT-ND
  别名：IPD60R380C6INCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6BTMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380E6BTMA1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6ATMA2
  仓库库存编号：IPD60R380E6ATMA2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V,
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