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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GXKSA1-ND
别名:SP000680656
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028754
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90N06S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI90N06S404AKSA1-ND
别名:IPI90N06S4-04
IPI90N06S4-04-ND
SP000379633
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716
仓库库存编号:
IRL3716-ND
别名:*IRL3716
Q1265959
SP001568284
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716S
仓库库存编号:
IRL3716S-ND
别名:*IRL3716S
Q1282555
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-262
型号:
IRL3716LPBF
仓库库存编号:
IRL3716LPBF-ND
别名:*IRL3716LPBF
SP001558060
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716PBF
仓库库存编号:
IRL3716PBF-ND
别名:*IRL3716PBF
SP001558646
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716SPBF
仓库库存编号:
IRL3716SPBF-ND
别名:SP001568304
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRRPBF-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRLPBF-ND
别名:SP001578504
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI040N06N3 G
IPI040N06N3 G-ND
SP000398038
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N06S404AKSA1
仓库库存编号:
IPP90N06S404AKSA1-ND
别名:IPP90N06S4-04
IPP90N06S4-04-ND
SP000379634
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
无铅
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MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N06S404AKSA2
仓库库存编号:
IPP90N06S404AKSA2-ND
别名:SP001028750
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 90A,10V,
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