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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB030N08N3 G
  仓库库存编号：IPB030N08N3 GCT-ND
  别名：IPB030N08N3 GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001227032
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP030N10N3 G
  IPP030N10N3 G-ND
  IPP030N10N3G
  SP000680768
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：DMTH4004SCTBQ-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTBQ-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH4004SCTB-13
  仓库库存编号：DMTH4004SCTB-13DICT-ND
  别名：DMTH4004SCTB-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60V 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN340N06
  仓库库存编号：IXFN340N06-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N03S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N03S4L03ATMA1-ND
  别名：SP000936514
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680648
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055P3
  仓库库存编号：GWM160-0055P3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GHKSA1-ND
  别名：IPI030N10N3 G
  IPI030N10N3 G-ND
  SP000469884
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V,
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