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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R299CP
  IPP60R299CPAKSA1
  IPP60R299CPIN
  IPP60R299CPIN-ND
  IPP60R299CPX
  IPP60R299CPXK
  IPP60R299CPXTIN
  IPP60R299CPXTIN-ND
  SP000084280
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Tc） 96W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R299CP
  仓库库存编号：IPL60R299CPCT-ND
  别名：IPL60R299CPCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R299CP
  仓库库存编号：IPW60R299CP-ND
  别名：IPW60R299CPFKSA1
  IPW60R299CPX
  IPW60R299CPXK
  SP000103251
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP50R299CP
  IPP50R299CPIN
  IPP50R299CPIN-ND
  IPP50R299CPXK
  SP000680938
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R299CP
  IPI50R299CP-ND
  SP000523748
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R299CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R299CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R299CP
  IPB50R299CP-ND
  SP000236094
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R299CP
  IPA50R299CP-ND
  SP000236079
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R299CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R299CPHKSA1-ND
  别名：SP000236070
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R299CP
  仓库库存编号：IPB60R299CPCT-ND
  别名：IPB60R299CPCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R299CPAATMA1
  仓库库存编号：IPB60R299CPAATMA1-ND
  别名：SP000539970
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R299CP
  IPA60R299CP-ND
  SP000096438
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R299CPFKSA1
  仓库库存编号：IPW50R299CPFKSA1-ND
  别名：IPW50R299CP
  IPW50R299CP-ND
  SP000301163
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R299CP
  IPI60R299CP-ND
  IPI60R299CPAKSA1
  IPI60R299CPX
  IPI60R299CPXK
  SP000103249
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V,
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