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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
型号:
DMT3011LDT-7
仓库库存编号:
DMT3011LDT-7DICT-ND
别名:DMT3011LDT-7DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC8200S
仓库库存编号:
FDMC8200SCT-ND
别名:FDMC8200SCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA432DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA432DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA432DJ-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC8200
仓库库存编号:
FDMC8200CT-ND
别名:FDMC8200CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA449DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA449DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA449DJ-T1-GE3CT
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