以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N03S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N03S4L-03CT
  IPB80N03S4L-03CT-ND
  IPB80N03S4L03ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S204ATMA4
  仓库库存编号：IPB100N04S204ATMA4CT-ND
  别名：IPB100N04S204ATMA4CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S403ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S403ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB160NF3LLT4
  仓库库存编号：STB160NF3LLT4-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2-03
  仓库库存编号：SPP100N03S2-03IN-ND
  别名：SPP100N03S2-03IN
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S203
  仓库库存编号：SPP100N03S203-ND
  别名：SP000013463
  SPP100N03S203X
  SPP100N03S203X-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N06S3-03
  仓库库存编号：IPI100N06S3-03-ND
  别名：IPI100N06S303X
  IPI100N06S303XK
  SP000087992
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S3-03
  仓库库存编号：IPP100N06S3-03-ND
  别名：IPP100N06S303X
  IPP100N06S303XK
  SP000087980
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N04S2-04
  仓库库存编号：SPB100N04S2-04-ND
  别名：SP000013711
  SPB100N04S204T
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2-03-ND
  别名：SP000013492
  SPI100N03S203X
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N04S2L-03
  仓库库存编号：SPP100N04S2L-03-ND
  别名：SP000013719
  SPP100N04S2L03
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S204ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S204ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N04S2-04
  IPB100N04S2-04-ND
  SP000219061
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA1-ND
  别名：IPP100N04S2L-03
  IPP100N04S2L-03-ND
  SP000219062
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA2-ND
  别名：SP001063638
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
• 搜索