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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 178W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R4-30BLE,118
仓库库存编号:
1727-1102-1-ND
别名:1727-1102-1
568-10257-1
568-10257-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R3-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1058-ND
别名:1727-1058
568-10166-5
568-10166-5-ND
934067501127
PSMN3R360PLQ
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18532NQ5B
仓库库存编号:
296-36445-1-ND
别名:296-36445-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 255W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R4-30B,118
仓库库存编号:
1727-5253-1-ND
别名:1727-5253-1
568-6577-1
568-6577-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4)
型号:
IRFH4257DTRPBF
仓库库存编号:
IRFH4257DTRPBFCT-ND
别名:IRFH4257DTRPBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 79W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R2-25YLC,115
仓库库存编号:
568-6732-1-ND
别名:568-6732-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK953R5-60E,127
仓库库存编号:
1727-7249-ND
别名:1727-7249
568-9864-5
568-9864-5-ND
934066476127
BUK953R560E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),92A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6603
仓库库存编号:
IRF6603CT-ND
别名:*IRF6603
IRF6603CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK663R5-55C,118
仓库库存编号:
1727-5523-1-ND
别名:1727-5523-1
568-7002-1
568-7002-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E3R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9874-5-ND
别名:568-9874-5
934066631127
BUK9E3R760E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 25A,10V,
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