以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH12N50F
  仓库库存编号：IXFH12N50F-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 144W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK12J60U(F)
  仓库库存编号：TK12J60UF-ND
  别名：TK12J60U(F)-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60U(QM)-ND
  别名：TK12A60U(Q)
  TK12A60U(Q)-ND
  TK12A60U(QM)
  TK12A60UQ-ND
  TK12A60UQM
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32 H
  仓库库存编号：BUZ32 H-ND
  别名：BUZ32H
  BUZ32HXKSA1
  SP000682998
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NM50FD
  仓库库存编号：STP12NM50FD-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW14NM50FD
  仓库库存编号：STW14NM50FD-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50FDT4
  仓库库存编号：497-5380-1-ND
  别名：497-5380-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 13A（Ta） 100W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK3403(Q)
  仓库库存编号：2SK3403(Q)-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32
  仓库库存编号：BUZ32IN-ND
  别名：BUZ32-ND
  BUZ32IN
  BUZ32X
  BUZ32XK
  SP000011345
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUZ32 E3045A
  仓库库存编号：BUZ32 E3045A-ND
  别名：BUZ32E3045AT
  SP000011346
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ32H3045AATMA1
  仓库库存编号：BUZ32H3045AATMA1-ND
  别名：BUZ32 H3045A
  BUZ32 L3045A
  BUZ32 L3045A-ND
  BUZ32H3045AIN
  BUZ32H3045AIN-ND
  BUZ32L3045AIN
  BUZ32L3045AIN-ND
  BUZ32L3045AXT
  SP000102174
  SP000736086
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 6A，10V,
• 无铅
• 搜索