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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 500mW（Ta） SOT-363
  
  型号：DMN2075UDW-7
  仓库库存编号：DMN2075UDW-7DICT-ND
  别名：DMN2075UDW-7DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 48 毫欧 @ 3A，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3-ND
  SI1489EDH-T1-GE3TR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 48 毫欧 @ 3A，4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 48 毫欧 @ 3A，4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3DKR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 48 毫欧 @ 3A，4.5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 660mW SOT-363
  
  型号：DMP1055USW-13
  仓库库存编号：DMP1055USW-13-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 48 毫欧 @ 3A，4.5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 660mW SOT-363
  
  型号：DMP1055USW-7
  仓库库存编号：DMP1055USW-7-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 48 毫欧 @ 3A，4.5V,
• 无铅
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