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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS406DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS406DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS406DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4894BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4894BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4894BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264
  仓库库存编号：785-1697-1-ND
  别名：785-1697-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7370DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7370DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7370DP-T1-E3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta）
  
  型号：SI7370DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7370DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7370DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4566
  仓库库存编号：AO4566-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4894BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4894BDY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4894BDY-T1-E3TR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.85W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4470EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4470EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4470EY-T1-E3CT
  SI4470EYT1E3
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6694
  仓库库存编号：FDS6694-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 5W（Ta），41.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7196DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7196DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7196DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4688DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4688DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4688DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8031-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9A（Ta） 1.85W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4470EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4470EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4470EY-T1-GE3CT
  SI4470EYT1GE3
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4688DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4688DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 5W（Ta），41.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7196DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7196DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMG4406LSS-13
  仓库库存编号：DMG4406LSS-13DICT-ND
  别名：DMG4406LSS-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264_101
  仓库库存编号：AO4264_101-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264_DELTA
  仓库库存编号：AO4264_DELTA-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 12A，10V,
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