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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 128W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF75329D3ST
  仓库库存编号：HUF75329D3STFSCT-ND
  别名：HUF75329D3STFSCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta），38A（Tc） 2.9W（Ta），75W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5407NT4G
  仓库库存编号：NVD5407NT4G-ND
  别名：STD5407NT4G
  STD5407NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 38A（Tc） 94W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS36101L_F085
  仓库库存编号：FDMS36101L_F085CT-ND
  别名：FDMS36101L_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK3816-DL-1E
  仓库库存编号：2SK3816-DL-1E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRR
  仓库库存编号：IRL3303D1STRR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 20A（Tc） 128W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUF75329D3
  仓库库存编号：HUF75329D3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 128W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF75329D3S
  仓库库存编号：HUF75329D3S-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 20A（Tc） 128W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUFA75329D3
  仓库库存编号：HUFA75329D3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 128W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA75329D3S
  仓库库存编号：HUFA75329D3S-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 128W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA75329D3ST
  仓库库存编号：HUFA75329D3ST-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.6A（Ta），38A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5407NG
  仓库库存编号：NTD5407NG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.6A（Ta），38A（Tc） 2.9W（Ta），75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5407NT4G
  仓库库存编号：NTD5407NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5413NT4G
  仓库库存编号：NTD5413NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3816-DL-E
  仓库库存编号：2SK3816-DL-E-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 68W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5413NT4G
  仓库库存编号：NVD5413NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303
  仓库库存编号：IRL3303-ND
  别名：*IRL3303
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303S
  仓库库存编号：IRL3303S-ND
  别名：*IRL3303S
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3303L
  仓库库存编号：IRL3303L-ND
  别名：*IRL3303L
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303D1
  仓库库存编号：IRL3303D1-ND
  别名：*IRL3303D1
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1S
  仓库库存编号：IRL3303D1S-ND
  别名：*IRL3303D1S
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRL
  仓库库存编号：IRL3303D1STRL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRL
  仓库库存编号：IRL3303STRL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRR
  仓库库存编号：IRL3303STRR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303PBF
  仓库库存编号：IRL3303PBF-ND
  别名：*IRL3303PBF
  SP001568314
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303SPBF
  仓库库存编号：IRL3303SPBF-ND
  别名：*IRL3303SPBF
  SP001573716
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V,
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