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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 9.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Ta),98A(Tc) 1.2W(Ta), 139W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT10H010LPS-13
仓库库存编号:
DMT10H010LPS-13DICT-ND
别名:DMT10H010LPS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 2W(Ta), 139W(Tc) TO-220AB
型号:
DMT10H010LCT
仓库库存编号:
DMT10H010LCTDI-ND
别名:DMT10H010LCTDI
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 100V 108A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 108A(Tc) 2.4W(Ta), 166W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH10H010LCT
仓库库存编号:
DMTH10H010LCTDI-5-ND
别名:DMTH10H010LCTDI-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta),29.5A(Tc) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
DMT10H010LSS-13
仓库库存编号:
DMT10H010LSS-13-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
详细描述:通孔 N 沟道 100V 108A(Tc) 2.4W(Ta), 166W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH10H010LCTB-13
仓库库存编号:
DMTH10H010LCTB-13-ND
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 8-SOP
型号:
RRS130N03TB1
仓库库存编号:
RRS130N03TB1CT-ND
别名:RRS130N03TB1CT
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