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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tj) Power56
型号:
FDMS9408_F085
仓库库存编号:
FDMS9408_F085CT-ND
别名:FDMS9408_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB86563_F085
仓库库存编号:
FDB86563_F085CT-ND
别名:FDB86563_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86360_F085
仓库库存编号:
FDB86360_F085CT-ND
别名:FDB86360_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8160_F085
仓库库存编号:
FDB8160_F085CT-ND
别名:FDB8160_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 214W(Tj) 8-PQFN(5x6)
型号:
FDWS9408_F085
仓库库存编号:
FDWS9408_F085-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB9406_F085
仓库库存编号:
FDB9406_F085CT-ND
别名:FDB9406_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB300NH02L
仓库库存编号:
497-7945-1-ND
别名:497-7945-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8160
仓库库存编号:
FDB8160-ND
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