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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 175W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP070AN06A0
  仓库库存编号：FDP070AN06A0-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB070AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDB070AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDB070AN06A0_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5500_F085
  仓库库存编号：FDP5500_F085-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA160N08
  仓库库存编号：FQA160N08-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB070AN06A0
  仓库库存编号：FDB070AN06A0CT-ND
  别名：FDB070AN06A0CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5500
  仓库库存编号：FDP5500-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP070N06L G
  仓库库存编号：IPP070N06LGIN-ND
  别名：IPP070N06L G-ND
  IPP070N06LGIN
  IPP070N06LGX
  IPP070N06LGXK
  SP000204171
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP070N06N G
  仓库库存编号：IPP070N06NGIN-ND
  别名：IPP070N06N G-ND
  IPP070N06NG
  IPP070N06NGIN
  IPP070N06NGXK
  SP000204186
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI070N06N G
  仓库库存编号：IPI070N06N G-ND
  别名：SP000208612
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 80A，10V,
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