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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7909-75AIE,127
仓库库存编号:
1727-7225-ND
别名:1727-7225
568-9742-5
568-9742-5-ND
934057279127
BUK7909-75AIE
BUK7909-75AIE,127-ND
BUK7909-75AIE-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7109-75ATE,118
仓库库存编号:
568-9631-1-ND
别名:568-9631-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7909-75ATE,127
仓库库存编号:
1727-7226-ND
别名:1727-7226
568-9743-5
568-9743-5-ND
934057280127
BUK7909-75ATE
BUK7909-75ATE,127-ND
BUK7909-75ATE-ND
BUK790975ATE127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
STP100N8F6
仓库库存编号:
497-15553-5-ND
别名:497-15553-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S409ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S409ATMA2-ND
别名:SP001028662
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名:IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 272W(Tc) SOT-426
型号:
BUK7109-75AIE,118
仓库库存编号:
568-9630-1-ND
别名:568-9630-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 625W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10M09B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M09B2VFRG-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5030TR2PBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S409ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S409ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S4-09
IPD50N06S4-09-ND
SP000374321
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),250W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5010TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5010TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5010TR2PBFCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V,
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