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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB12N50TM
仓库库存编号:
FDB12N50TMCT-ND
别名:FDB12N50TMCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50T
仓库库存编号:
FDPF12N50T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N60NZ
仓库库存编号:
FDPF12N60NZ-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP12N50
仓库库存编号:
FDP12N50-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 240W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP12N60NZ
仓库库存编号:
FDP12N60NZ-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N60FD
仓库库存编号:
AOT12N60FD-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF12N60FD
仓库库存编号:
AOTF12N60FD-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB12N60FDL
仓库库存编号:
785-1617-1-ND
别名:785-1617-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 225W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12N60C
仓库库存编号:
FQP12N60C-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NK80Z
仓库库存编号:
STW13NK80Z-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60CT
仓库库存编号:
FQPF12N60CT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60C
仓库库存编号:
FQPF12N60C-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 3.13W(Ta),225W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12N60CTM
仓库库存编号:
FQB12N60CTM-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 3.13W(Ta),225W(Tc) I2PAK
型号:
FQI12N60CTU
仓库库存编号:
FQI12N60CTU-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M012A060FH
仓库库存编号:
GP1M012A060FH-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP2M012A060H
仓库库存编号:
GP2M012A060H-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP1M012A060H
仓库库存编号:
1560-1180-5-ND
别名:1560-1180-1
1560-1180-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 53.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M012A060F
仓库库存编号:
1560-1210-5-ND
别名:1560-1210-1
1560-1210-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 6A,10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M012A080NG
仓库库存编号:
1560-1211-5-ND
别名:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
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