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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60WS4VX-ND
别名:TK16A60W,S4VX(M
TK16A60WS4VX
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK16G60W,RVQ
仓库库存编号:
TK16G60WRVQCT-ND
别名:TK16G60WRVQCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60WS1VX-ND
别名:TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK16C60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16C60WS1VQ-ND
别名:TK16C60W,S1VQ(S
TK16C60WS1VQ
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK16N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK16N60WS1VF-ND
别名:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK16J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16J60WS1VQ-ND
别名:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220
型号:
TK16A60W,S4X
仓库库存编号:
TK16A60WS4X-ND
别名:TK16A60WS4X
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W5,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60W5S4VX-ND
别名:TK16A60W5S4VX
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 139W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK16V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK16V60WLVQCT-ND
别名:TK16V60WLVQCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.9A,10V,
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