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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 357W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86363_F085
仓库库存编号:
FDBL86363_F085CT-ND
别名:FDBL86363_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 357W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL0210N80
仓库库存编号:
FDBL0210N80CT-ND
别名:FDBL0210N80CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 227W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD9407_F085
仓库库存编号:
FDD9407_F085CT-ND
别名:FDD9407_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL86062_F085
仓库库存编号:
FDBL86062_F085-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL0200N100
仓库库存编号:
FDBL0200N100-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TDG-E1-AY-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TUG-E1-AY-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TUJ-E1-AY-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N04S3-02
仓库库存编号:
IPB120N04S3-02CT-ND
别名:IPB120N04S3-02CT
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