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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP028N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP028N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP028N08N3 G
IPP028N08N3 G-ND
IPP028N08N3G
SP000680766
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P403ATMA1-ND
别名:SP000840202
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名:SP001028776
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028778
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989106
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989108
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
SP000415700
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
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MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028774
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 100A,10V,
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