以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH275N8F7-2AG
  仓库库存编号：497-15473-1-ND
  别名：497-15473-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 90A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH275N8F7-6AG
  仓库库存编号：497-15474-1-ND
  别名：497-15474-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 90A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-2
  仓库库存编号：497-13873-1-ND
  别名：497-13873-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 90A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-6
  仓库库存编号：497-13874-1-ND
  别名：497-13874-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 90A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB90N04S402ATMA1TR-ND
  别名：IPB90N04S4-02
  IPB90N04S4-02-ND
  SP000646182
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.1 毫欧 @ 90A，10V,
• 无铅
• 搜索