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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc)
型号:
SUP85N10-10-GE3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-GE3CT-ND
别名:SUP85N10-10-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-E3-ND
别名:SUP85N10-10-E3CT
SUP85N10-10-E3CT-ND
SUP85N1010E3
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD70NS04ZL
仓库库存编号:
497-10411-1-ND
别名:497-10411-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta),100A(Tc) 2.1W(Ta),268W(Tc) TO-220
型号:
AOT470
仓库库存编号:
AOT470-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号:
SQM100N10-10_GE3-ND
别名:SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 60A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NH02LT4
仓库库存编号:
STB60NH02LT4-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4913N-1G
仓库库存编号:
NTD4913N-1G-ND
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无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4913N-35G
仓库库存编号:
NTD4913N-35G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) DPAK
型号:
NTD4913NT4G
仓库库存编号:
NTD4913NT4G-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-E3TR-ND
别名:SUP85N10-10-E3TR
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUV85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUV85N10-10-E3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10.5 毫欧 @ 30A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名:IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
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IPS105N03LGXK
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU105N03L G
仓库库存编号:
IPU105N03LGIN-ND
别名:IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
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