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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD350N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD350N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD350N06LGBTMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76419S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76419S3ST_F085CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76419P3
  仓库库存编号：HUF76419P3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76419P3
  仓库库存编号：HUFA76419P3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76419S3S
  仓库库存编号：HUFA76419S3S-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3S
  仓库库存编号：HUF76419S3S-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3ST
  仓库库存编号：HUF76419S3ST-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76419S3ST
  仓库库存编号：HUFA76419S3ST-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V,
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