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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2L-06 GCT
  SPD50N03S2L-06 GCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.4 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06T
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06XTINCT-ND
  别名：SPD50N03S2L06XTINCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.4 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L-06
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06INCT-ND
  别名：SPD50N03S2L06
  SPD50N03S2L06INCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.4 毫欧 @ 50A，10V,
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