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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF60DM206
  仓库库存编号：IRF60DM206CT-ND
  别名：IRF60DM206CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 165A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IAUT165N08S5N029ATMA2
  仓库库存编号：IAUT165N08S5N029ATMA2-ND
  别名：SP001585162
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP270N04
  仓库库存编号：497-5270-5-ND
  别名：497-5270-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP270N4F3
  仓库库存编号：STP270N4F3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8442
  仓库库存编号：FDB8442CT-ND
  别名：FDB8442CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8442
  仓库库存编号：FDI8442-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：SPB160N04S203CTMA1
  仓库库存编号：SPB160N04S203CTMA1TR-ND
  别名：SP000014263
  SPB160N04S2-03
  SPB160N04S2-03-ND
  SPB160N04S203T
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.9 毫欧 @ 80A，10V,
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