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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N100
仓库库存编号:
IXFK24N100-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX24N100F
仓库库存编号:
IXFX24N100F-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 560W(Tc) TO-264(IXFK)
型号:
IXFK24N100F
仓库库存编号:
IXFK24N100F-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 24A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N100F
仓库库存编号:
IXFN24N100F-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 24A(Tc) 568W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N100
仓库库存编号:
IXFN24N100-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT24M80B
仓库库存编号:
APT24M80B-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT24M80S
仓库库存编号:
APT24M80S-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 24A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX24N100
仓库库存编号:
IXFX24N100-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 22A(Tc) 416W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N100
仓库库存编号:
IXFR24N100-ND
别名:Q1157068B
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 22A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE24N100
仓库库存编号:
IXFE24N100-ND
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