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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6675BZ
仓库库存编号:
FDS6675BZCT-ND
别名:FDS6675BZCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA7630
仓库库存编号:
FDMA7630CT-ND
别名:FDMA7630CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS4675_F085
仓库库存编号:
FDS4675_F085CT-ND
别名:FDS4675_F085CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4675
仓库库存编号:
FDS4675CT-ND
别名:FDS4675CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SOP
型号:
UPA2737GR-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2737GR-E1-AT-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6675A
仓库库存编号:
FDS6675A-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 11A(Ta),48A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MQ
型号:
IRF6602
仓库库存编号:
IRF6602CT-ND
别名:IRF6602CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 11A,10V,
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