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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 25.7W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R950CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R950CEXKSA2-ND
  别名：SP001217236
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU50R950CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA2-ND
  别名：SP001396806
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R950CE
  仓库库存编号：IPA50R950CEIN-ND
  别名：IPA50R950CEIN
  IPA50R950CEXKSA1
  SP000939328
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEBTMA1CT
  IPD50R950CEIN
  IPD50R950CEIN-ND
  IPD50R950CEINCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEBKMA1-ND
  别名：IPU50R950CE
  IPU50R950CE-ND
  SP001022956
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 1.2A，13V,
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