规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(10)
分立半导体产品
(10)
筛选品牌
Nexperia USA Inc. (8)
NXP USA Inc. (1)
Renesas Electronics America (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y3R5-40E,115
仓库库存编号:
1727-1804-1-ND
别名:1727-1804-1
568-11418-1
568-11418-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R3-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7108-1-ND
别名:1727-7108-1
568-9478-1
568-9478-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R5-80PS,127
仓库库存编号:
1727-5282-ND
别名:1727-5282
568-6710
568-6710-5
568-6710-5-ND
568-6710-ND
934065169127
PSMN3R580PS127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R1-40E,118
仓库库存编号:
1727-7260-1-ND
别名:1727-7260-1
568-9889-1
568-9889-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E3R5-60E,127
仓库库存编号:
1727-7245-ND
别名:1727-7245
568-9853-5
568-9853-5-ND
934066632127
BUK7E3R560E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 158W(Tc) D2PAK
型号:
BUK663R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5522-1-ND
别名:1727-5522-1
568-7001-1
568-7001-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R5-80ES,127
仓库库存编号:
1727-5283-ND
别名:1727-5283
568-6711
568-6711-5
568-6711-5-ND
568-6711-ND
934065163127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2169H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2169H-EL-E-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 92W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5302-1-ND
别名:1727-5302-1
568-6733-1
568-6733-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号:
568-9842-5-ND
别名:568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号