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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SPP16N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP16N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681056
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW16N50C3
  仓库库存编号：SPW16N50C3IN-ND
  别名：SP000014472
  SPW16N50C3FKSA1
  SPW16N50C3IN
  SPW16N50C3X
  SPW16N50C3XK
  SPW16N50C3XTIN
  SPW16N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R6020FNJTL
  仓库库存编号：R6020FNJTLCT-ND
  别名：R6020FNJTLCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB16N50C3
  仓库库存编号：SPB16N50C3INCT-ND
  别名：SPB16N50C3INCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA16N50C3
  仓库库存编号：SPA16N50C3IN-ND
  别名：SP000216351
  SPA16N50C3IN
  SPA16N50C3X
  SPA16N50C3XK
  SPA16N50C3XKSA1
  SPA16N50C3XTIN
  SPA16N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP16N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP16N50C3HKSA1-ND
  别名：SPP16N50C3
  SPP16N50C3IN
  SPP16N50C3IN-ND
  SPP16N50C3X
  SPP16N50C3XK
  SPP16N50C3XTIN
  SPP16N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI16N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI16N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014470
  SP000681004
  SPI16N50C3
  SPI16N50C3-ND
  SPI16N50C3IN
  SPI16N50C3IN-ND
  SPI16N50C3X
  SPI16N50C3XK
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 280 毫欧 @ 10A，10V,
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