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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR422DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR422DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR422DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870ADP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR870ADP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8330TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8330TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8330TRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），56A（Tc） 3.3W（Ta），35W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8330TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8330TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8330TR2PBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK958R5-40E,127
  仓库库存编号：568-9867-5-ND
  别名：568-9867-5
  934066422127
  BUK958R540E127
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E8R5-40E,127
  仓库库存编号：568-9878-5-ND
  别名：568-9878-5
  934066415127
  BUK9E8R540E127
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.6 毫欧 @ 20A，10V,
• 无铅
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