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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001606032
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R600P7SATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 41.7W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM60NB600CF C0G
  仓库库存编号：TSM60NB600CF C0G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7SAUMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658294
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001618082
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001618084
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V,
• 无铅
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