以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 157W（Tc） TO-252-3
  
  型号：TK90S06N1L,LQ
  仓库库存编号：TK90S06N1LLQCT-ND
  别名：TK90S06N1LLQCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 45A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 62W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC90N04S5L3R3ATMA1
  仓库库存编号：IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
  别名：SP001418122
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 45A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220
  
  型号：NP89N04MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N04MUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 45A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-262
  
  型号：NP89N04NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N04NUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 45A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220
  
  型号：N0439N-S19-AY
  仓库库存编号：N0439N-S19-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 45A，10V,
• 无铅
• 搜索