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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M020A050N
仓库库存编号:
1560-1191-5-ND
别名:1560-1191-1
1560-1191-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 58W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP20N50P3M
仓库库存编号:
IXFP20N50P3M-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP20N50P3
仓库库存编号:
IXFP20N50P3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ20N50P3
仓库库存编号:
IXFQ20N50P3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA20N50P3
仓库库存编号:
IXFA20N50P3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N50P3
仓库库存编号:
IXFH20N50P3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20F50B
仓库库存编号:
APT20F50B-ND
别名:APT20F50BMI
APT20F50BMI-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT20F50S
仓库库存编号:
APT20F50S-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M020A050N
仓库库存编号:
GP2M020A050N-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V,
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