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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S4L08ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.3 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N03S207ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S207ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N03S2-07
  IPD50N03S2-07-ND
  SP000254462
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.3 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2-07
  仓库库存编号：SPD50N03S2-07-ND
  别名：SP000016253
  SP000077579
  SPD50N03S207XT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.3 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S207GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2-07 GCT
  SPD50N03S2-07 GCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.3 毫欧 @ 50A，10V,
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