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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7145DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7145DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7145DP-T1-GE3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E2R6-60E,127
仓库库存编号:
1727-7243-ND
别名:1727-7243
568-9851-5
568-9851-5-ND
934066514127
BUK7E2R660E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 326W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R6-60PSQ
仓库库存编号:
1727-1057-ND
别名:1727-1057
568-10165-5
568-10165-5-ND
934067504127
PSMN2R660PSQ
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R5-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1056-ND
别名:1727-1056
568-10164-5
568-10164-5-ND
934067499127
PSMN2R560PLQ
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1065-1-ND
别名:1727-1065-1
568-10175-1
568-10175-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R6-60E,118
仓库库存编号:
1727-1090-1-ND
别名:1727-1090-1
568-10243-1
568-10243-1-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE812DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE812DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE812DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE812DF-T1-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9840-5-ND
别名:568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9862-5-ND
别名:568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E2R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9872-5-ND
别名:568-9872-5
934066513127
BUK9E2R860E127
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