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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7141DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7141DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7141DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP2002UPS-13
  仓库库存编号：DMP2002UPS-13DICT-ND
  别名：DMP2002UPS-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R6-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7111-1-ND
  别名：1727-7111-1
  568-9481-1
  568-9481-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R9-40C,118
  仓库库存编号：1727-5518-1-ND
  别名：1727-5518-1
  568-6997-1
  568-6997-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 含铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87018T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87018T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87018T-U/MFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R9-40E,127
  仓库库存编号：1727-1131-ND
  别名：1727-1131
  568-10286
  568-10286-5
  568-10286-5-ND
  568-10286-ND
  934066982127
  BUK7E1R9-40E,127-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R8-30C,118
  仓库库存编号：1727-5517-1-ND
  别名：1727-5517-1
  568-6996-1
  568-6996-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 164W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R7-25YLC,115
  仓库库存编号：568-6723-1-ND
  别名：568-6723-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
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