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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 830mW（Ta），104.2W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS037N08B
  仓库库存编号：FDMS037N08BCT-ND
  别名：FDMS037N08BCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.9A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH4005SPS-13
  仓库库存编号：DMTH4005SPS-13DICT-ND
  别名：DMTH4005SPS-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.9A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH4005SPSQ-13
  仓库库存编号：DMTH4005SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMTH4005SPSQ-13DICT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC037N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC037N08NS5ATMA1CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-262
  
  型号：N0434N-S23-AY
  仓库库存编号：N0434N-S23-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 24A（Ta），123A（Tc） 4W（Ta），107W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5890NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5890NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD5890NLT4G
  NVD5890NLT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 24A（Ta），123A（Tc） 4W（Ta），107W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5890NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5890NT4G-VF01-ND
  别名：NVD5807NT4G-VF01
  NVD5890NT4G
  NVD5890NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP401-TL-H
  仓库库存编号：ATP401-TL-H-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-220
  
  型号：N0412N-S19-AY
  仓库库存编号：N0412N-S19-AY-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC037N025S G
  仓库库存编号：BSC037N025S G-ND
  别名：BSC037N025SGXT
  SP000095466
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 50A，10V,
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