以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840PBF
  仓库库存编号：IRF840PBF-ND
  别名：*IRF840PBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF840ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRRPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRRPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LCPBF
  仓库库存编号：IRF840LCPBF-ND
  别名：*IRF840LCPBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840ALPBF
  仓库库存编号：IRF840ALPBF-ND
  别名：*IRF840ALPBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840STRLPBF
  仓库库存编号：IRF840STRLPBFCT-ND
  别名：IRF840STRLPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840APBF
  仓库库存编号：IRF840APBF-ND
  别名：*IRF840APBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRLPBFCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840LCLPBF
  仓库库存编号：IRF840LCLPBF-ND
  别名：*IRF840LCLPBF
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSPBF
  仓库库存编号：IRF840LCSPBF-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRF840LPBF
  仓库库存编号：IRF840LPBF-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRF840LCSTRRPBF
  仓库库存编号：IRF840LCSTRRPBF-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LC
  仓库库存编号：IRF840LC-ND
  别名：*IRF840LC
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840
  仓库库存编号：IRF840IR-ND
  别名：*IRF840
  IRF840IR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840S
  仓库库存编号：IRF840S-ND
  别名：*IRF840S
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840A
  仓库库存编号：IRF840A-ND
  别名：*IRF840A
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840AS
  仓库库存编号：IRF840AS-ND
  别名：*IRF840AS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840L
  仓库库存编号：IRF840L-ND
  别名：*IRF840L
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCS
  仓库库存编号：IRF840LCS-ND
  别名：*IRF840LCS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840LCL
  仓库库存编号：IRF840LCL-ND
  别名：*IRF840LCL
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840AL
  仓库库存编号：IRF840AL-ND
  别名：*IRF840AL
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRL
  仓库库存编号：IRF840ASTRL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRR
  仓库库存编号：IRF840ASTRR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSTRL
  仓库库存编号：IRF840LCSTRL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSTRR
  仓库库存编号：IRF840LCSTRR-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840STRL
  仓库库存编号：IRF840STRL-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V,
• 含铅
• 搜索