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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB290L
仓库库存编号:
785-1329-1-ND
别名:785-1329-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0911NDATMA1
仓库库存编号:
BSC0911NDATMA1CT-ND
别名:BSC0911NDATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 29A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),32A(Tc) 4.2W(Ta),41W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6508
仓库库存编号:
785-1365-1-ND
别名:785-1365-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6572
仓库库存编号:
AON6572-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.4W(Ta), 62W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3003LFG-13
仓库库存编号:
DMT3003LFG-13-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.4W(Ta), 62W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3003LFG-7
仓库库存编号:
DMT3003LFG-7-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD100N03-3M2L_GE3
仓库库存编号:
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 19A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-220
型号:
AOT264L
仓库库存编号:
785-1414-5-ND
别名:785-1414-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),268W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB266L
仓库库存编号:
785-1328-1-ND
别名:785-1328-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),272.5W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB282L
仓库库存编号:
AOB282L-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 5W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7136DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7136DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7136DP-T1-E3CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4324DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4324DY-T1-E3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4324DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4324DY-T1-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 5W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7136DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7136DP-T1-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE862DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE862DF-T1-GE3-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),32A(Tc) 4.2W(Ta),30W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7764
仓库库存编号:
785-1682-1-ND
别名:785-1682-1
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 140A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17.5A(Ta), 140A(Tc) 1.9W(Ta),500W(Tc) TO-262
型号:
AOW290
仓库库存编号:
785-1729-5-ND
别名:785-1729-5
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 20A,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),32A(Tc) 4.2W(Ta),41W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6508_101
仓库库存编号:
AON6508_101-ND
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