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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 154A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 154A（Tc） 480W（Tc） SP1
  
  型号：APTML10UM09R004T1AG
  仓库库存编号：APTML10UM09R004T1AG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DDAM09T3G
  仓库库存编号：APTM10DDAM09T3G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DSKM09T3G
  仓库库存编号：APTM10DSKM09T3G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 154A (Tc) 480W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML102UM09R004T3AG
  仓库库存编号：APTML102UM09R004T3AG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10HM09FT3G
  仓库库存编号：APTM10HM09FT3G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TDUM09PG
  仓库库存编号：APTM10TDUM09PG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TAM09FPG
  仓库库存编号：APTM10TAM09FPG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10DHM09TG
  仓库库存编号：APTM10DHM09TG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10HM09FTG
  仓库库存编号：APTM10HM09FTG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 69.5A，10V,
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