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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P06-08L-E3
  仓库库存编号：SUM110P06-08L-E3CT-ND
  别名：SUM110P06-08L-E3CT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4909NT4G
  仓库库存编号：NTD4909NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4909NT4GOSCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03LSGINCT
  BSC080N03LSGINCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03MSGINCT
  BSC080N03MSGINCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NH02LT4
  仓库库存编号：497-3515-1-ND
  别名：497-3515-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB080N03L G
  仓库库存编号：IPB080N03L GCT-ND
  别名：IPB080N03L GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080P03LS G
  仓库库存编号：BSC080P03LS GCT-ND
  别名：BSC080P03LS GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Ta），41A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909NA-35G
  仓库库存编号：NTD4909NA-35G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4808N-1G
  仓库库存编号：NTD4808N-1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK60S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK60S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK60S06K3L(T6L1NQ
  TK60S06K3LT6L1NQ
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 60A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD70NH02LT4
  仓库库存编号：497-3165-1-ND
  别名：497-3165-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD70N02L
  仓库库存编号：497-5891-1-ND
  别名：497-5891-1
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 60A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD70N02L-1
  仓库库存编号：STD70N02L-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4808N-35G
  仓库库存编号：NTD4808N-35G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4808NT4G
  仓库库存编号：NTD4808NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4909NAT4G
  仓库库存编号：NTD4909NAT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-35G
  仓库库存编号：NTD4909N-35G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-1G
  仓库库存编号：NTD4909N-1G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.9A（Ta），55A（Tc） 1.07W（Ta），35.71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4960N-1G
  仓库库存编号：NTD4960N-1GOS-ND
  别名：NTD4960N-1GOS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.9A（Ta），55A（Tc） 1.07W（Ta），35.71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4960N-35G
  仓库库存编号：NTD4960N-35GOS-ND
  别名：NTD4960N-35GOS
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta），55A（Tc） 1.07W（Ta），35.71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4960NT4G
  仓库库存编号：NTD4960NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4960NT4GOSCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 75A（Tc） 3.7W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP75P05-08-E3
  仓库库存编号：SUP75P05-08-E3-ND
  别名：SUP75P05-08-E3CT
  SUP75P05-08-E3CT-ND
  SUP75P0508E3
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4808NT4G
  仓库库存编号：NVD4808NT4G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 55A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252
  
  型号：AOD452AL_008
  仓库库存编号：AOD452AL_008-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP080N03L G
  仓库库存编号：IPP080N03L G-ND
  别名：SP000264166
  SP000680836
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 30A，10V,
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