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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065F
  仓库库存编号：GP1M006A065F-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M006A065PH
  仓库库存编号：GP1M006A065PH-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065FH
  仓库库存编号：1560-1161-5-ND
  别名：1560-1161-1
  1560-1161-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V,
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