规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(13)
分立半导体产品
(13)
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (3)
IXYS (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 550W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH200N10T
仓库库存编号:
IXTH200N10T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.6A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta), 150W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6005LPS-13
仓库库存编号:
DMTH6005LPS-13DICT-ND
别名:DMTH6005LPS-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.6A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta), 150W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6005LPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH6005LPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH6005LPSQ-13DICT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S4L06ATMA1CT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N10T
仓库库存编号:
IXTQ200N10T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 300A(Tc) 1500W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB300N10P
仓库库存编号:
IXFB300N10P-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10T
仓库库存编号:
IXTN200N10T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 295A(Tc) 1070W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN300N10P
仓库库存编号:
IXFN300N10P-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 120A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXTL2X220N075T
仓库库存编号:
IXTL2X220N075T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV200N10T
仓库库存编号:
IXTV200N10T-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV200N10TS
仓库库存编号:
IXTV200N10TS-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),89A(Tc) P-TDSON-8
型号:
BSC059N03ST
仓库库存编号:
BSC059N03ST-ND
别名:SP000014717
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta),73A(Tc) 17.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC059N03S G
仓库库存编号:
BSC059N03SGINCT-ND
别名:BSC059N03SG
BSC059N03SGINCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号