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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630
  仓库库存编号：497-2757-5-ND
  别名：497-2757-5
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP9NQ20T,127
  仓库库存编号：1727-4652-ND
  别名：1727-4652
  568-5769
  568-5769-5
  568-5769-5-ND
  568-5769-ND
  934055685127
  PHP9NQ20T
  PHP9NQ20T,127-ND
  PHP9NQ20T-ND
  PHP9NQ20T127
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NK30Z
  仓库库存编号：497-7502-5-ND
  别名：497-7502-5
  STP12NK30Z-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD9NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD9NQ20T,118-ND
  别名：934055766118
  PHD9NQ20T /T3
  PHD9NQ20T /T3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.13W（Ta），72W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFW630BTM_FP001
  仓库库存编号：IRFW630BTM_FP001-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：IRF630FP
  仓库库存编号：497-12489-5-ND
  别名：497-12489-5
  IRF630FP-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N15
  仓库库存编号：FQP9N15-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP630TSTU
  仓库库存编号：FQP630TSTU-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP630
  仓库库存编号：FQP630-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N15TM
  仓库库存编号：FQB9N15TM-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 9A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N15TU
  仓库库存编号：FQI9N15TU-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.13W（Ta），78W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB630TM
  仓库库存编号：FQB630TM-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRF630B_FP001
  仓库库存编号：IRF630B_FP001-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRF630BTSTU_FP001
  仓库库存编号：IRF630BTSTU_FP001-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M009A020CG
  仓库库存编号：GP1M009A020CG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A020HG
  仓库库存编号：GP1M009A020HG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M009A020PG
  仓库库存编号：GP1M009A020PG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A020FG
  仓库库存编号：1560-1171-5-ND
  别名：1560-1171-1
  1560-1171-1-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73
  仓库库存编号：BUZ73IN-ND
  别名：BUZ73IN
  BUZ73X
  BUZ73XK
  BUZ73XTIN
  BUZ73XTIN-ND
  SP000011372
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 25W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX9NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX9NQ20T,127-ND
  别名：934055769127
  PHX9NQ20T
  PHX9NQ20T-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73E3046XK
  仓库库存编号：BUZ73E3046XK-ND
  别名：BUZ73 E3046
  BUZ73 E3046-ND
  BUZ73E3046X
  SP000011963
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20
  仓库库存编号：SPD07N20INCT-ND
  别名：SPD07N20INCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73HXKSA1-ND
  别名：BUZ73 H
  BUZ73 H-ND
  BUZ73H
  SP000683000
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ73H3046XKSA1-ND
  别名：BUZ73 H3046
  BUZ73 H3046-ND
  BUZ73H3046
  SP000683002
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20GBTMA1
  仓库库存编号：SPD07N20GBTMA1CT-ND
  别名：SPD07N20 GCT
  SPD07N20 GCT-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 4.5A，10V,
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