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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661
  仓库库存编号：2N6661MC-ND
  别名：2N6661MC
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2110A
  仓库库存编号：ZVN2110A-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0808L-G
  仓库库存编号：VN0808L-G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN2110GTA
  仓库库存编号：ZVN2110GCT-ND
  别名：ZVN2110G
  ZVN2110GCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGTR-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGTR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGCT-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGDKR-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGDKR
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2N60ECH C5G
  仓库库存编号：TSM2N60ECH C5G-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN2110ASTZ
  仓库库存编号：ZVN2110ASTZ-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：2SK2715TL
  仓库库存编号：2SK2715TLCT-ND
  别名：2SK2715TLCT
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN2110ASTOA
  仓库库存编号：ZVN2110ASTOA-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN2110ASTOB
  仓库库存编号：ZVN2110ASTOB-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 500mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN2110GTC
  仓库库存编号：ZVN2110GTC-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661
  仓库库存编号：2N6661-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661-2
  仓库库存编号：2N6661-2-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661-E3
  仓库库存编号：2N6661-E3-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JAN02
  仓库库存编号：2N6661JAN02-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTVP02
  仓库库存编号：2N6661JTVP02-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTX02
  仓库库存编号：2N6661JTX02-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTXL02
  仓库库存编号：2N6661JTXL02-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTXP02
  仓库库存编号：2N6661JTXP02-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTXV02
  仓库库存编号：2N6661JTXV02-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A060CG
  仓库库存编号：GP2M002A060CG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A060HG
  仓库库存编号：GP2M002A060HG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A060PG
  仓库库存编号：GP2M002A060PG-ND
  
  规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 1A，10V,
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