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IXYS
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 480A(Tc) 940W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN520N075T2
仓库库存编号:
IXFN520N075T2-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB019N06L3 G
仓库库存编号:
IPB019N06L3 GCT-ND
别名:IPB019N06L3 GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL60B216
仓库库存编号:
IRL60B216-ND
别名:SP001568416
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL40B212
仓库库存编号:
IRL40B212-ND
别名:SP001578760
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
IRL40S212
仓库库存编号:
IRL40S212-ND
别名:IRL40S212CT
IRL40S212CT-ND
SP001568454
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB019N08N3 G
仓库库存编号:
IPB019N08N3 GCT-ND
别名:IPB019N08N3 GCT
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 340A
详细描述:通孔 N 沟道 340A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP340N04T4
仓库库存编号:
IXTP340N04T4-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 340A
详细描述:通孔 N 沟道 340A(Tc) 480W(Tc) TO-247
型号:
IXTH340N04T4
仓库库存编号:
IXTH340N04T4-ND
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
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